:: دوره 6، شماره 2 - ( 12-1398 ) ::
جلد 6 شماره 2 صفحات 50-32 برگشت به فهرست نسخه ها
بررسی اثر اضافه کردن یک فیدبک فعال با رفتار سلفی به یک ساختار گیت مشترک به عنوان یک تقویت کننده امپدانس انتقالی برای کاربردهای مخابراتی پهن باند و کم مصرف
مهدی دولتشاهی ، سید مهدی میرصانعی ، مهرداد امیرخان دهکردی ، سورنا ظهوری*
گروه برق، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی تهران ، soorena_z7@yahoo.com
چکیده:   (10665 مشاهده)
ساختارهای گیت مشترک همواره به سبب مقاومت ورودی کمی که از خود نشان می دهند، به عنوان طبقه اول در تقویت کننده های امپدانس انتقالی استفاده می گردند. این ساختار معمولا به تنهایی به عنوان یک تقویت کننده امپدانس انتقالی پاسخ گو نمیباشد و با ساختار های دیگر از جمله توپولوژی های تفاضلی به همراه مقاومتها و خازن های منفی ترکیب می شود. این مقاله به بررسی اضافه کردن یک شبکه فعال فیدبک بر روی ساختار گیت مشترک می پردازد. همواره از شبکه فیدبک به عنوان کاهش دهنده مقاومت ورودی یاد شده است اما در این مقاله نشان داده شده است که این طبقه فیدبک فعال که مساحت کمی هم بر روی تراشه اشغال می کند، نه تنها مقاومت ورودی را بیش از پیش کاهش می دهد، بلکه می توان از آن یک رفتار سلفی استخراج کرد تا با ایجاد رزونانس با خازن نسبتا بزرگ آشکارساز در ورودی به پهنای باندهای بالاتر رسید. معادلات ریاضی برای محاسبه این رفتار سلفی در این مقاله ارائه شده است، و رفتار و وجود این سلف نیز در شبیه سازی های صورت گرفته، نشان داده شده است. نهایتا نشان داده شده که می توان از همین تک طبقه با فیدبک فعال به تنهایی پاسخ مناسبی به عنوان یک تقویت کننده امپدانس انتقالی پرسرعت و کم توان برای کار در گیرنده های مجتمع نوری دریافت کرد.
ساختارهای گیت مشترک همواره به سبب مقاومت ورودی کمی که از خود نشان می دهند، به عنوان طبقه اول در تقویت کننده های امپدانس انتقالی استفاده می گردند. این ساختار معمولا به تنهایی به عنوان یک تقویت کننده امپدانس انتقالی پاسخ گو نمیباشد و با ساختار های دیگر از جمله توپولوژی های تفاضلی به همراه مقاومتها و خازن های منفی ترکیب می شود. این مقاله به بررسی اضافه کردن یک شبکه فعال فیدبک بر روی ساختار گیت مشترک می پردازد. همواره از شبکه فیدبک به عنوان کاهش دهنده مقاومت ورودی یاد شده است اما در این مقاله نشان داده شده است که این طبقه فیدبک فعال که مساحت کمی هم بر روی تراشه اشغال می کند، نه تنها مقاومت ورودی را بیش از پیش کاهش می دهد، بلکه می توان از آن یک رفتار سلفی استخراج کرد تا با ایجاد رزونانس با خازن نسبتا بزرگ آشکارساز در ورودی به پهنای باندهای بالاتر رسید. معادلات ریاضی برای محاسبه این رفتار سلفی در این مقاله ارائه شده است، و رفتار و وجود این سلف نیز در شبیه سازی های صورت گرفته، نشان داده شده است. نهایتا نشان داده شده که می توان از همین تک طبقه با فیدبک فعال به تنهایی پاسخ مناسبی به عنوان یک تقویت کننده امپدانس انتقالی پرسرعت و کم مصرف برای کار در گیرنده های مجتمع نوری دریافت کرد.
واژه‌های کلیدی: تقویت کننده امپدانس انتقالی، گیرنده مخابرات نوری، فیدبک فعال، کم مصرف، پهن باند.
متن کامل [PDF 756 kb]   (1410 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: مدارات آنالوگ
دریافت: 1398/9/9 | پذیرش: 1398/12/23 | انتشار: 1399/6/16


XML   English Abstract   Print



بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.
دوره 6، شماره 2 - ( 12-1398 ) برگشت به فهرست نسخه ها