:: دوره 1، شماره 2 - ( 10-1392 ) ::
جلد 1 شماره 2 صفحات 45-58 برگشت به فهرست نسخه ها
تحلیل پدیده های غیرخطی در فوتونیک سیلیکونی
امیر حبیب زاده شریف، محمد سلیمانی
دانشگاه علم و صنعت ایران ، sharif@iust.ac.ir
چکیده:   (8774 مشاهده)
اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی CMOS قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تحقق قطعات اکتیو تمام-نوری مثل لیزر، تقویت کننده و مدولاتور استفاده کرد. از طرفی، Si-nc:SiO2 به عنوان ماده ای جدید، دارای خاصیت غیرخطی قوی تری نسبت به Si است. نتایج تحلیل های تمام-موج موجبر شیاری در رژیم های خطی و غیرخطی نشان می دهند که ناحیه شیار این موجبر می تواند ضمن جای دادن Si-nc:SiO2، شدت نور بالایی نیز داشته باشد. بنابراین، این موجبر از طریق دو عامل رفتارهای غیرخطی را تشدید می نماید.
واژه‌های کلیدی: فوتونیک سیلیکونی، نور غیرخطی، موجبر شیاری نوری، تحلیل مودی تمام-موج
متن کامل [PDF 316 kb]   (2444 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: مدلسازی و شبیه سازی
دریافت: 1392/4/5 | پذیرش: 1392/6/13 | انتشار: 1392/10/15


XML   English Abstract   Print



دوره 1، شماره 2 - ( 10-1392 ) برگشت به فهرست نسخه ها