[صفحه اصلی ]   [Archive] [ English ]  
:: صفحه اصلي :: درباره نشريه :: آخرين شماره :: تمام شماره‌ها :: جستجو :: ثبت نام :: ارسال مقاله :: تماس با ما ::
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
اطلاعات نشریه::
آرشیو مجله و مقالات::
برای نویسندگان::
برای داوران::
ثبت نام و اشتراک::
تماس با ما::
تسهیلات پایگاه::
::
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
دریافت اطلاعات پایگاه
نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه، در کادر زیر وارد کنید.
..
:: جستجو در مقالات منتشر شده ::
2 نتیجه برای موضوع مقاله: الکترونیک نوری

آقای محمد دهقانپور فراشاه، آقای مجید پوراحمدی، آقای علی میروکیلی،
دوره 7، شماره 2 - ( 12-1399 )
چکیده

در این مقاله یک ساختار تقویت کننده امپدانس انتقالی بر پایه ساختارهای RGC با پهنای باند بالا و توان تلفاتی کم برای کار در یک سیستم گیرنده مخابرات نوری، ارائه شده است. در این ساختار، با اضافه کردن ساختار کسکود به یک وارونگر، و بهره بردن از آن به عنوان طبقه تقویت کننده RGC به عنوان یک شبکه فیدبک تمام فعال، خازن غالب ورودی ساختار گیرنده را ایزوله کردیم، و بدین صورت توانستیم با مصرف توان کمتری، به پهنای باند 4/6 گیگاهرتز دست یابیم. همچنین، در این ساختار از یک سلف به صورت فعال استفاده شده است تا با ایجاد رزونانس با خازن بار، پهنای باند مدار را افزایش دهد. بهره گیری از شکل فعال سلف به جای شکل پسیو آن، کاهش مساحت اشغالی بر روی تراشه را به همراه دارد. بدین صورت به دو روش ایزوله کردن خازن غالب ورودی و کاهش اثر خازن بار، توانستیم بدون نیاز به تزریق جریان بالا  به مدار، پهنای باند آن را افزایش دهیم. نتایج شبیه سازی عملکرد مناسب مدار در نرخ بیت 10 گیگابیت بر ثانیه را به خوبی نشان می دهند. این مدار، تنها 6/1 میلی وات توان مصرف می کند که پهنای باندی برابر با 4/6 گیگاهرتز و بهره ای برابر با 40 دسی بل اهم را به ارمغان می آورد.
مجتبی احمدی، دکتر علی بهرامی،
دوره 8، شماره 1 - ( 6-1400 )
چکیده

از زمان معرفی اولین سلول خورشیدی سیلیکونی، در پارامترهای عملکردی آن از قبیل میزان حبس‌شدگی نور، جذب طیف خورشید، بازده سلول و هزینه‌های ساخت، به‌طور پیوسته، بهبودهایی ایجاد شده است. در سلول سیلیکونی با ضخامت کم، همواره تعدادی از فوتون‌های نوری جذب‌نشده توسط نیمه‌هادی، به شکل‌های گوناگون تلف می‌شوند. توری پراش باعث می‌گردد که فوتون ها در اثر برخورد به این ساختار، مسیر نوری طولانی‌تری را طی نمایند که باعث افزایش طول مسیر نوری فوتون‌ها و افزایش جذب سلول و درنتیجه بهبود بازده سلول می‌گردد. در هر یک از ساختارهای مذکور، به تعیین مواد بهینه و خصوصیات هندسی برای رسیدن به حداکثر بازده سلول سیلیکونی مبادرت ورزیده‌ شده است. در یافتن پارامترهای هندسی بهینه برای ساختار، از روش‌های بهینه‌سازی هوشمند استفاده شده است. با انتخاب بهترین روش های جستجو از دو الگوریتم بهینه‌سازی ازدحام ذرات و ژنتیک و ایجاد ترکیبی از  آن دو، ویژگی‌های مثبت هر دو الگوریتم برای دستیابی به بهترین پاسخ به کار گرفته شد. این ترکیب نتایج بسیار مثبتی ایجاد کرده است که در نتیجه آن 293/23 درصد بازده و جریان اتصال کوتاه  41/35 میلی‌آمپر بر سانتی‌متر مربع بدست آمده است.

صفحه 1 از 1     

سامانه های غیرخطی در مهندسی برق Journal of Nonlinear Systems in Electrical Engineering
نشریه سامانه‌های غیرخطی در مهندسی برق در خصوص اصول اخلاقی انتشار مقاله، از توصیه‌های «کمیته بین‌المللی اخلاق نشر» موسوم به COPE و «منشور و موازین اخلاق پژوهش» مصوب معاونت پژوهش و فناوری وزارت علوم، تحقیقات و فناوری تبعیت می‌کند.
Persian site map - English site map - Created in 0.09 seconds with 27 queries by YEKTAWEB 4361