---

ساختارهای گیت مشترک همواره به سبب مقاومت ورودی کمی که از خود نشان می دهند، به عنوان طبقه اول در تقویت کننده های امپدانس انتقالی استفاده می گردند. این ساختار معمولا به تنهایی به عنوان یک تقویت کننده امپدانس انتقالی پاسخ گو نمیباشد و با ساختار های دیگر از جمله توپولوژی های تفاضلی به همراه مقاومتها و خازن های منفی ترکیب می شود. این مقاله به بررسی اضافه کردن یک شبکه فعال فیدبک بر روی ساختار گیت مشترک می پردازد. همواره از شبکه فیدبک به عنوان کاهش دهنده مقاومت ورودی یاد شده است اما در این مقاله نشان داده شده است که این طبقه فیدبک فعال که مساحت کمی هم بر روی تراشه اشغال می کند، نه تنها مقاومت ورودی را بیش از پیش کاهش می دهد، بلکه می توان از آن یک رفتار سلفی استخراج کرد تا با ایجاد رزونانس با خازن نسبتا بزرگ آشکارساز در ورودی به پهنای باندهای بالاتر رسید. معادلات ریاضی برای محاسبه این رفتار سلفی در این مقاله ارائه شده است، و رفتار و وجود این سلف نیز در شبیه سازی های صورت گرفته، نشان داده شده است. نهایتا نشان داده شده که می توان از همین تک طبقه با فیدبک فعال به تنهایی پاسخ مناسبی به عنوان یک تقویت کننده امپدانس انتقالی پرسرعت و کم توان برای کار در گیرنده های مجتمع نوری دریافت کرد.
ساختارهای گیت مشترک همواره به سبب مقاومت ورودی کمی که از خود نشان می دهند، به عنوان طبقه اول در تقویت کننده های امپدانس انتقالی استفاده می گردند. این ساختار معمولا به تنهایی به عنوان یک تقویت کننده امپدانس انتقالی پاسخ گو نمیباشد و با ساختار های دیگر از جمله توپولوژی های تفاضلی به همراه مقاومتها و خازن های منفی ترکیب می شود. این مقاله به بررسی اضافه کردن یک شبکه فعال فیدبک بر روی ساختار گیت مشترک می پردازد. همواره از شبکه فیدبک به عنوان کاهش دهنده مقاومت ورودی یاد شده است اما در این مقاله نشان داده شده است که این طبقه فیدبک فعال که مساحت کمی هم بر روی تراشه اشغال می کند، نه تنها مقاومت ورودی را بیش از پیش کاهش می دهد، بلکه می توان از آن یک رفتار سلفی استخراج کرد تا با ایجاد رزونانس با خازن نسبتا بزرگ آشکارساز در ورودی به پهنای باندهای بالاتر رسید. معادلات ریاضی برای محاسبه این رفتار سلفی در این مقاله ارائه شده است، و رفتار و وجود این سلف نیز در شبیه سازی های صورت گرفته، نشان داده شده است. نهایتا نشان داده شده که می توان از همین تک طبقه با فیدبک فعال به تنهایی پاسخ مناسبی به عنوان یک تقویت کننده امپدانس انتقالی پرسرعت و کم مصرف برای کار در گیرنده های مجتمع نوری دریافت کرد.

---

در این مقاله یک ساختار تقویت کننده امپدانس انتقالی بر پایه ساختارهای RGC با پهنای باند بالا و توان تلفاتی کم برای کار در یک سیستم گیرنده مخابرات نوری، ارائه شده است. در این ساختار، با اضافه کردن ساختار کسکود به یک وارونگر، و بهره بردن از آن به عنوان طبقه تقویت کننده RGC به عنوان یک شبکه فیدبک تمام فعال، خازن غالب ورودی ساختار گیرنده را ایزوله کردیم، و بدین صورت توانستیم با مصرف توان کمتری، به پهنای باند 4/6 گیگاهرتز دست یابیم. همچنین، در این ساختار از یک سلف به صورت فعال استفاده شده است تا با ایجاد رزونانس با خازن بار، پهنای باند مدار را افزایش دهد. بهره گیری از شکل فعال سلف به جای شکل پسیو آن، کاهش مساحت اشغالی بر روی تراشه را به همراه دارد. بدین صورت به دو روش ایزوله کردن خازن غالب ورودی و کاهش اثر خازن بار، توانستیم بدون نیاز به تزریق جریان بالا  به مدار، پهنای باند آن را افزایش دهیم. نتایج شبیه سازی عملکرد مناسب مدار در نرخ بیت 10 گیگابیت بر ثانیه را به خوبی نشان می دهند. این مدار، تنها 6/1 میلی وات توان مصرف می کند که پهنای باندی برابر با 4/6 گیگاهرتز و بهره ای برابر با 40 دسی بل اهم را به ارمغان می آورد.