@ARTICLE{Habibzadeh-Sharif, author = {Habibzadeh-Sharif, Amir and Soleimani, Mohammad and }, title = {Analysis of the Nonlinear Effects in the Silicon Photonics}, volume = {1}, number = {2}, abstract ={اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی CMOS قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تحقق قطعات اکتیو تمام-نوری مثل لیزر، تقویت کننده و مدولاتور استفاده کرد. از طرفی، Si-nc:SiO2 به عنوان ماده ای جدید، دارای خاصیت غیرخطی قوی تری نسبت به Si است. نتایج تحلیل های تمام-موج موجبر شیاری در رژیم های خطی و غیرخطی نشان می دهند که ناحیه شیار این موجبر می تواند ضمن جای دادن Si-nc:SiO2، شدت نور بالایی نیز داشته باشد. بنابراین، این موجبر از طریق دو عامل رفتارهای غیرخطی را تشدید می نماید. }, URL = {http://journals.sut.ac.ir/jnsee/article-1-51-fa.html}, eprint = {http://journals.sut.ac.ir/jnsee/article-1-51-fa.pdf}, journal = {Nonlinear Systems in Electrical Engineering}, doi = {}, year = {2014} }